HENGKO® ການກັ່ນຕອງອາຍແກັສ Semiconductor ຄວາມບໍລິສຸດສູງ

ການກັ່ນຕອງຊຸດຄວາມບໍລິສຸດສູງໄດ້ຖືກອອກແບບເພື່ອການກັ່ນຕອງອາຍແກັສ semiconductor.ການປະກອບການເຊື່ອມໂລຫະນີ້ຢ່າງເຕັມສ່ວນຈະສະຫນອງ 0.003 micron ອະນຸພາກການຊ່ວຍເຫຼືອເກັບຮັກສາໄວ້.

ການກັ່ນຕອງອາຍແກັສ semiconductor ຄຸນນະສົມບັດພາຍໃນການກໍ່ສ້າງສະແຕນເລດທັງຫມົດລວມທັງໄສ້ຕອງສະແຕນເລດ sintered ການກັ່ນຕອງແລະໂຄງປະກອບການສະຫນັບສະຫນູນ, 316L ສະແຕນເລດ electropolished ທີ່ຢູ່ອາໄສການເຊື່ອມໂລຫະສໍາລັບການນໍາໃຊ້ອາຍແກັສຂະບວນການ semiconductor ທີ່ສໍາຄັນ.

ລ້າງການປະກອບສຸດທ້າຍດ້ວຍ nickel ການກັ່ນຕອງເພື່ອບັນລຸຄວາມສະອາດເບື້ອງຕົ້ນ.

ອຸດສາຫະກໍາຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ:

ຈຸດທີ່ໃຊ້ semiconductor ການກັ່ນຕອງອາຍແກັສພິເສດ

ການ​ໂອນ​ອາຍ​ແກ​ັ​ສ inert ແລະ​ພິ​ເສດ​.

ສະເພາະດ້ານເຕັກນິກມີດັ່ງນີ້:

ລະດັບການກັ່ນຕອງ 3nm

ການກັ່ນຕອງສະແຕນເລດ porous sintered ຂອງພວກເຮົາສະຫນອງປະສິດທິພາບການເກັບຮັກສາອະນຸພາກປະສິດທິພາບຢູ່ທີ່0.003μm.

ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ: 121°C (250°F)

ແຮງດັນການເຮັດວຽກສູງສຸດ: 207 bar (3000 psig) ທີ່ 20°C (68°F).

ຄຸນ​ນະ​ສົມ​ບັດ​ແລະ​ຜົນ​ປະ​ໂຫຍດ​:

Porous stainless steel sintered filter media / ໂຄງປະກອບການສະຫນັບສະຫນູນສະແຕນເລດ sintered Porous

ການກັ່ນຕອງສະແຕນເລດ sintered 316L ສະຫນອງຄວາມຕ້ານທານການໄຫຼທີ່ດີກວ່າແລະການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີ.

ທີ່ຢູ່ອາໄສດ້ວຍໄຟຟ້າ 316L

ການປະກອບການກັ່ນຕອງນີ້ມີເຮືອນສະແຕນເລດ 316L electropolished 10Ra ເພື່ອປ້ອງກັນການກັດກ່ອນແລະການສ້າງຕັ້ງຂອງອະນຸພາກ.

ການຜະລິດຫ້ອງສະອາດ

ການກັ່ນຕອງສະແຕນເລດ sintered ຂອງພວກເຮົາສໍາລັບອາຍແກັສ semiconductor ແມ່ນຜະລິດຢູ່ໃນຫ້ອງສະອາດເພື່ອຮັບປະກັນບໍ່ມີອະນຸພາກ, ສະອາດສານເຄມີ, ການຈັດການແລະຖົງຖົງທີ່ບໍ່ແມ່ນອິນຊີ, ສະຫນອງລະດັບສູງຂອງຄວາມສະອາດອອກຈາກຖົງ.ການປິ່ນປົວກ່ອນເພີ່ມເຕີມແມ່ນທາງເລືອກ.

FAQ

1. ການກັ່ນຕອງອາຍແກັສ semiconductor ຄວາມບໍລິສຸດສູງແມ່ນຫຍັງ?
ການກັ່ນຕອງອາຍແກັສ semiconductor ຄວາມບໍລິສຸດສູງເປັນປະເພດພິເສດຂອງການກັ່ນຕອງອອກແບບມາເພື່ອເອົາ impurities ອອກຈາກອາຍແກັສທີ່ໃຊ້ໃນການຜະລິດຂອງອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກ.ການກັ່ນຕອງເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນຜະລິດຈາກວັດສະດຸທີ່ສາມາດທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງແລະສານເຄມີ corrosive, ແລະໄດ້ຖືກອອກແບບເພື່ອເອົາອະນຸພາກລົງໃນລະດັບ nano-scale.

2. ເປັນຫຍັງການກັ່ນຕອງອາຍແກັສ semiconductor ຄວາມບໍລິສຸດສູງຈຶ່ງມີຄວາມສໍາຄັນ?
ໃນການຜະລິດຂອງ semiconductors, ເຖິງແມ່ນວ່າຈໍານວນຫນ້ອຍຂອງ impurities ສາມາດເຮັດໃຫ້ເກີດຂໍ້ບົກພ່ອງແລະຫຼຸດຜ່ອນຄຸນນະພາບໂດຍລວມຂອງຜະລິດຕະພັນສຸດທ້າຍ.ການກັ່ນຕອງອາຍແກັສ semiconductor ຄວາມບໍລິສຸດສູງຊ່ວຍໃຫ້ແນ່ໃຈວ່າກ໊າຊທີ່ໃຊ້ໃນຂະບວນການຜະລິດແມ່ນບໍ່ມີສານປົນເປື້ອນ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງຂຶ້ນ.

3. ປະເພດໃດແດ່ທີ່ສາມາດກັ່ນຕອງກ໊າຊ semiconductor ຄວາມບໍລິສຸດສູງ?
ການກັ່ນຕອງອາຍແກັສ semiconductor ຄວາມບໍລິສຸດສູງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອການກັ່ນຕອງລະດັບຄວາມກ້ວາງຂອງອາຍແກັສ, ລວມທັງໄຮໂດເຈນ, ໄນໂຕຣເຈນ, ອົກຊີເຈນ, ແລະຊະນິດຂອງອາຍແກັສຂະບວນການອື່ນໆ.ອີງຕາມຂະບວນການຜະລິດສະເພາະ, ການກັ່ນຕອງປະເພດຕ່າງໆອາດຈະຕ້ອງການເພື່ອບັນລຸລະດັບຄວາມບໍລິສຸດທີ່ຕ້ອງການ.

4. ການກັ່ນຕອງອາຍແກັສ semiconductor ຄວາມບໍລິສຸດສູງເຮັດໄດ້ແນວໃດ?
ການກັ່ນຕອງອາຍແກັສ semiconductor ຄວາມບໍລິສຸດສູງແມ່ນຜະລິດຈາກວັດສະດຸເຊັ່ນ: ສະແຕນເລດ, ແລະໂລຫະທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງອື່ນໆ.ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວອົງປະກອບການກັ່ນຕອງແມ່ນຂະຫນາດນ້ອຍຫຼາຍ, ມີຂະຫນາດ pore ຕັ້ງແຕ່ 0.1 ຫາ 1 micron.ການກັ່ນຕອງມັກຈະຖືກເຄືອບດ້ວຍວັດສະດຸພິເສດເພື່ອເພີ່ມຄຸນສົມບັດຂອງຫນ້າດິນແລະປັບປຸງການປະຕິບັດການຕອງຂອງພວກເຂົາ.

5. ການກັ່ນຕອງອາຍແກັສ semiconductor ຄວາມບໍລິສຸດສູງໃຊ້ໄດ້ດົນປານໃດ?
ອາຍຸຂອງການກັ່ນຕອງອາຍແກັສ semiconductor ຄວາມບໍລິສຸດສູງສາມາດແຕກຕ່າງກັນໄປຕາມປັດໃຈຈໍານວນຫນຶ່ງ, ລວມທັງປະເພດຂອງການກັ່ນຕອງ, ອາຍແກັສທີ່ຖືກກັ່ນຕອງແລະຂະບວນການຜະລິດສະເພາະ.ໂດຍທົ່ວໄປ, ຕົວກອງເຫຼົ່ານີ້ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນໄລຍະຍາວແລະສາມາດຢູ່ໄດ້ຫຼາຍເດືອນຫຼືຫຼາຍປີກ່ອນທີ່ຈະຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ປ່ຽນແທນ.ການບໍາລຸງຮັກສາແລະການເຮັດຄວາມສະອາດຢ່າງເປັນປົກກະຕິສາມາດຊ່ວຍຍືດອາຍຸຂອງການກັ່ນຕອງເຫຼົ່ານີ້ແລະຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ດີທີ່ສຸດໃນໄລຍະເວລາ.